サムスン電子、最先端ＤＲＡＭを年内に量産・線幅60ナノ技術活用

サムスン電子、最先端ＤＲＡＭを年内に量産・線幅60ナノ技術活用



　【ソウル＝鈴木壮太郎】韓国サムスン電子はパソコンなどに使う半導体メモリー、ＤＲＡＭの最先端製品を年内に量産する。回路線幅は60ナノ（ナノは10億分の1）メートルに狭めた加工技術を活用する。同技術による量産は世界のＤＲＡＭメーカーで初めて。最先端技術の導入で価格競争力を高め、シェア拡大を狙う。

　ＤＲＡＭのコスト競争力を左右する回路線幅の技術を巡っては、エルピーダメモリが2007年度中に65ナノメートルの加工技術を使った量産に着手する計画。サムスンが60ナノでの量産を開始すれば、エルピーダを上回る最先端プロセスとなる。

　回路線幅が細くなるほど、1つのウエハーから取れるＤＲＡＭの数が増える。ＤＲＡＭは世界的な供給過剰で昨年末から今夏にかけて価格が急落。サムスンも業績が悪化した。微細加工技術を進めることでコスト競争力を高め、収益改善につなげる。

[2007年9月13日/日本経済新聞　朝刊]
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